فلش مموري NAND چيست؟

حافظه فلش (Flash Memory) چيست؟

حافظه فلش داده ها را در مجموعه اي از سلول ها ذخيره مي كند و هر سلول حداقل ۱ بيت داده را در خود نگه مي دارد. سلول ها به صورت بلوك هايي سازمان دهي شده اند، جايي كه يك بلوك به عنوان مجموعه اي از بايت هاي پيوسته تعريف مي شود كه يك واحد قابل شناسايي از داده ها را تشكيل مي دهد.

يك بلوك كوچكترين قسمت قابل برنامه ريزي / پاك شدن آرايه است. بلوك ها توسط بار الكتريكي نوشته مي شوند؛ هر سلول يا نشان دهنده عدد ۱ است يا ۰. وقتي همه بلوك ها با هم در نظر گرفته شوند؛ يك تراشه حافظه تشكيل مي دهند. چند نوع حافظه فلش وجود دارد كه حافظه فلش NAND رايج ترين نوع آن است. حافظه فلش NAND را مي توان در كارت هاي USB، دستگاه هاي MP3 Player و ساير دستگاه هايي كه به ذخيره سازي داده با ظرفيت بالا نياز دارند، پيدا كرد.

حافظه فلش داراي دو ويژگي اصلي است:

ـ غير فرار است – حافظه غير فرار براي نگهداري اطلاعات به منبع تغذيه نياز ندارد. به همين ترتيب معمولا براي ذخيره سازي طولاني مدت استفاده مي شود. حافظه رم كامپيوتر شما يك نوع حافظه فرار است و اين بدان معناست كه با خاموش كردن سيستم؛ تمام اطلاعات نگهداري شده از دست مي روند.

ـ تعداد محدود سيكل نوشتن دارد – به دليل نحوه كار، حافظه فلش فقط مي تواند تا تعداد محدودي از سيكل يا چرخه نوشتن پشتيباني كند. سلول ها كم كم به آرامي از كار مي افتند و عملكرد كاهش پيدا مي كند.

فلش مموري NAND چيست؟

NAND نوعي حافظه فلش است كه در دسته حافظه‌هاي غيرفرار ( Non-Volatile storage) قرار مي‌گيرد. اين نوع از حافظه حتي در صورت قطع برق و نبود منبع تغذيه نيز اطلاعات موجود در خود را حفظ مي‌كند. هدف مهم توسعه فلش NAND كاهش هزينه هر بيت و افزايش حداكثر ظرفيت تراشه است تا حافظه فلش بتواند با دستگاه هاي ذخيره سازي مغناطيسي مانند هارد ديسك رقابت كند.

حافظه‌هاي فلش مموري قابليت حمل بسيار بالا همراه با عمر و سرعت زيادي دارند. آنها قادر به ذخيره‌سازي اطلاعاتي كه از يك SSD و يا فلش مموري انتظار مي‌رود. حافظه‌هاي فلش مموري در واقع آرايه‌اي از سلول‌ها است كه قابليت ذخيره‌سازي يك يا چند بيت از داده‌هاي صفر و يك را دارد. هر سلول شامل چند Floating Gate Transistor است كه شارژ الكتريكي را در خود نگه داري مي‌كنند كه در نهايت نشان دهنده نماد صفر و يا يك است.

SLC (Single-Level Cells) يك بيت را ذخيره سازي مي‌كند. MLC (Multi-Level Cells) دو بيت را ذخيره سازي مي‌كند، TLC (Ttriple-Level Cells) سه بيت و در نهايت QLC (Quad-Level Cells) چهار بيت را ذخيره سازي مي‌كنند. با استفاده از واحد‌هاي ذخيره‌سازي بيت بيشتر، هزينه‌ها كاهش پيدا مي‌كند.

اين فلش براي دستگاه هاي مناسب است كه فايل هاي حجيم، اغلب در آنها آپلود و جايگزين مي شوند. پخش كننده هاي MP3، دوربين هاي ديجيتال و درايوهاي فلش USB از فناوري NAND استفاده مي كنند. فلش NAND داده ها را به صورت بلوك ذخيره مي كند و براي ذخيره داده ها به مدارهاي الكتريكي متكي است. هنگامي كه برق از حافظه فلش NAND جدا مي شود، يك metal-oxide نيمه رسانا، شارژ اضافي را براي سلول حافظه فراهم مي كند و داده ها را حفظ مي كند. metal-oxide نيمه رسانا كه معمولاً استفاده مي شود يك ترانزيستور floating-gate (FGT) است. ساختار FGT ها شبيه به گيت هاي منطقي NAND است.

سلول هاي حافظه NAND با دو نوع گيت كنترلي و گيت شناور ساخته مي شوند. هر دو گيت به كنترل جريان داده كمك خواهند كرد و براي برنامه ريزي يك سلول، يك شارژ ولتاژ به گيت كنترل ارسال مي شود.

عملكرد حافظه فلش NAND:

حافظه فلش نوع خاصي از تراشه حافظه خواندني قابل برنامه ريزي (EEPROM) با قابليت پاك كردن الكترونيكي است. مدار فلش، شبكه اي از ستون ها و رديف ها را ايجاد مي كند. هر تقاطع شبكه دو ترانزيستور را نگه مي دارد كه توسط يك لايه نازك اكسيد از هم جدا شده اند. يكي از ترانزيستورها دروازه شناور و ديگري دروازه كنترل ناميده مي شود. گيت كنترل، دروازه شناور را به رديف مربوطه خود در شبكه متصل مي كند.

تا زماني كه گيت كنترل اين پيوند را فراهم مي كند، سلول حافظه داراي مقدار ديجيتالي 1 است كه به معناي پاك شدن بيت است. براي تغيير سلول به مقدار ديجيتال 0، بايد فرآيندي به نام Fowler-Nordheim tunneling و در كل بايد تونل زني انجام شود كه تونل زني نحوه قرارگيري الكترون ها در دروازه شناور را تغيير مي دهد.

يك ولتاژ سيگنال در امتداد خط ستون شبكه ارسال، وارد دروازه شناور مي شود و شارژ دروازه شناور را به زمين تخليه مي كند. اين تغيير باعث مي شود كه الكترون ها در سراسر لايه اكسيد رانده شوند و بار روي لايه اكسيد را تغيير مي دهد كه مانعي بين دروازه هاي شناور و كنترل ايجاد مي كند.

از آنجايي كه اين تغيير بار را به زير يك ولتاژ آستانه معين كاهش مي دهد، مقدار سلول به عدد ديجيتال 0 تبديل مي شود. يك سلول فلش را مي توان با اعمال شارژ با ولتاژ بالاتر پاك كرد و سلول فلش را به ديجيتال 1 بازگرداند. با اعمال شارژ ولتاژ بالاتر، تونل زني را متوقف كرده و شارژ را به دروازه شناور برمي گرداند.

اين فرآيند به ولتاژي نياز دارد كه توسط مدار كنترل فعال ارائه مي شود. اما سلول هايي كه فلش را تشكيل مي دهند، پس از قطع برق خارجي به تراشه، حالت شارژ يا تخليه خود را به طور نامحدود حفظ مي كنند. اين همان چيزي است كه حافظه فلش NAND را غيرفرار مي كند.

فرآيند شارژ و تونل زني كه در يك سلول فلش انجام مي شود براي ترانزيستورها مخرب است و سلول فقط مي تواند قبل از اينكه سلول شروع به خراب شدن و از كار افتادن كند به تعداد محدودي برنامه ريزي و پاك شود. كه به اين مفهوم حافظه فرسوده و يا پوسيده شده گفته مي شود.

تاريخچه و تكامل حافظه فلش NAND:

تاريخچه فلش NAND در واقع به توسعه metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) برمي گردد. فناوري MOSFET در سال 1959 توسعه يافته و در سال 1967 MOSFET هاي دروازه شناور توسعه يافت. توسعه دهندگان اين ترانزيستورهاي اوليه متوجه شدند كه اين دستگاه ها مي توانند وضعيت را بدون برق نگه دارند و استفاده از آنها را به عنوان سلول هاي حافظه دروازه شناور براي تراشه هاي حافظه فقط خواندني قابل برنامه ريزي (PROM) پيشنهاد كردند كه هم غيرفرار و هم قابل برنامه ريزي مجدد هستند.

بيش از تراشه هاي رام موجود اين ترانزيستورها پايه و اساس دستگاه هاي پاك شدني PROM (EPROM) و EEPROM را در دهه 1970 تشكيل دادند، اگرچه استفاده از آنها محدود بود.

طراحان توشيبا اولين كساني بودند كه گروه‌هايي از سلول‌هاي حافظه فلش را در بلوك‌ها يا گروه‌ها بازسازي كردند و مدار مورد نياز براي پاك كردن سريع بلوك‌ها را اضافه كردند. فلش NOR در سال 1984 و فلش NAND در سال 1987 ارائه شد. توشيبا برخي از اولين دستگاه‌هاي فلش NAND را در سال 1987 توليد كرد، در حالي كه اينتل دستگاه‌هاي فلش NOR را در سال 1988 توليد كرد. دستگاه‌هاي كارت حافظه قابل جابجايي مبتني بر NAND، مانند SmartMedia، در اواسط دهه 1990 ظاهر شدند و شامل چندين تغيير از جمله MultiMediaCard و ساير عوامل بودند. كارت هاي قابل جابجايي، مانند miniSD و microSD، تكامل يافته و عملكرد بهتري را در فاكتورهاي كوچكتر ارائه مي دهند.

سازندگان در دهه‌هاي 2000 و 2010 پيشرفت‌هايي را در زمينه چگالي، عملكرد و قابليت اطمينان حافظه‌هاي فلش NAND انجام دادند كه از فناوري‌هاي نوظهور طراحي سلول مانند سلول چند سطحي (MLC) بهره بردند كه دو بيت در هر سلول، سلول سه‌سطحي (TLC) را ذخيره مي‌كرد. بيت در هر سلول و سلول چهار سطحي (QLC) كه چهار بيت در هر سلول را ذخيره مي كند. پيشرفت‌هاي بيشتر در فناوري سلول‌هاي حافظه، لايه‌هايي از سلول‌هاي حافظه را قادر مي‌سازد تا در لايه‌هايي روي هم قرار گيرند تا ظرفيت ذخيره‌سازي فلش حتي بيشتر شود.

انواع حافظه فلش NAND:

انواع متداول ذخيره سازي فلش NAND شامل SLC، MLC، TLC، QLC و 3D NAND است. عاملي كه آنها را از هم جدا مي كند تعداد بيت ها در هر سلول است. هرچه بيت هاي بيشتري در هر سلول ذخيره شود، هزينه ذخيره سازي فلش NAND كمتر خواهد بود.

ـ SLC يا سلول هاي تك سطحي: در هر سلول يك بيت ذخيره مي كند. SLC بالاترين استقامت را دارد اما همچنين گرانترين نوع حافظه فلش NAND است.

ـ MLC يا سلول هاي چند سطحي: دو بيت را در هر سلول ذخيره مي كند. از آنجايي كه چرخه هاي پاك كردن و نوشتن دو برابر بيشتر اتفاق مي افتد، MLC در مقايسه با SLC استقامت كمتري دارد. با اين حال، هزينه كمتري دارد. بسياري از رايانه هاي شخصي از MLC استفاده مي كنند.

ـ TLC يا سلول‌هاي سطح سه‌گانه: سه بيت در هر سلول ذخيره مي‌كنند. بسياري از محصولات سطح مصرف كننده از اين استفاده مي كنند زيرا ارزان تر است، هر چند عملكرد پايين تري دارد.

ـ QLC يا سلول هاي چهار سطحي: چهار بيت در هر سلول ذخيره مي كند. QLC ها حتي استقامت كمتري دارند و عموماً هزينه كمتري دارند.

ـ NAND سه بعدي: NAND دو بعدي يا مسطح فقط يك لايه سلول حافظه دارد، در حالي كه NAND سه بعدي سلول ها را روي هم قرار مي دهد. سامسونگ از NAND سه بعدي به عنوان NAND عمودي يا V-NAND ياد مي كند.

تفاوت ميان NAND و V-NAND چيست؟

V-NAND و يا 3D V-NAND آخرين تكنولوژي در زمينه ساخت فلش مموري در دنيا است. در اين تكنولوژي از سلول‌هاي NAND به صورت سطح دو وجهي استفاده مي‌شود. اين سلول‌ها به صورت عمودي در كنار يكديگر قرار مي‌گيرند كه باعث شده از نماد V (Vertical يا عمودي) در نام اين تكنولوژي استفاده شود.

با توجه به استفاده از ساختار عمودي سلول‌ها، SSD‌هاي ساخته شده با استفاده از اين تكنولوژي حجم بالاتري دارند، مصرف برق آنها كمتر و در نهايت هزينه توليد آنها نيز كاهش پيدا كرده است. از ديگر ويژگي‌هاي V-NAND مي‌توان به سرعت دو برابر و ماندگاري داده‌ها تا ده برابر اشاره كرد. سامسونگ اولين بار با استفاده از V-NAND توانست اولين SSD با حجم دو ترابايت در جهان را به نام Samsung 850 Pro را به بازار عرضه كند.

عدم وجود فلش NAND:

تقاضاي بي وقفه ذخيره سازي داده ها و دستگاه هاي قابل حمل باعث كمبود تراشه هاي فلش NAND شده است. كمبود فلاش NAND در سال 2016 آغاز شد و تا سال 2021 ادامه داشت. كمبود تا حدي نتيجه تقاضا است، اما همچنين به اين دليل است كه فروشندگان از توليد NAND 2 بعدي يا مسطح به فناوري NAND بسيار متراكم تر 3D تغيير مي كنند. ساخت تراشه هاي NAND سه بعدي فرآيند پيچيده تري است.

امروزه، درايوهاي حالت جامد (SSD) و گوشي‌هاي هوشمند، محرك‌هاي اصلي بازار فلش NAND هستند. بازار حافظه هاي فلش NAND تا سال 2020 به بيش از 46 ميليارد دلار رسيد و انتظار مي رود تا سال 2026 به بيش از 85 ميليارد دلار برسد.

تفاوت فلش NAND و فلش NOR:

دو نوع اصلي فلش، حافظه فلش NAND و NOR هستند كه نام خود را از گيت هاي منطقي مربوط به خود مي گيرند. حافظه فلش NAND در بلوك هايي كه كوچكتر از دستگاه هستند نوشته و خوانده مي شود، در حالي كه حافظه فلش NOR به طور مستقل بايت ها را مي خواند و مي نويسد. موارد استفاده براي هر دو حافظه فلش NOR و NAND شامل لپ تاپ و كامپيوترهاي هاي روميزي، دوربين هاي ديجيتال و پخش كننده هاي صوتي؛ گوشي هاي هوشمند؛ بازي هاي ويديويي؛ و الكترونيك علمي، صنعتي و پزشكي مي باشد.

فلاش NAND زمان پاك كردن و نوشتن سريع‌تري نسبت به فلاش NOR ارائه مي‌كند، در حالي كه فناوري NAND چگالي بهتري را با هزينه كمتر براي هر بيت ارائه مي‌كند. NAND همچنين تا 10 برابر NOR تحمل بيشتري را ارائه مي دهد.

NAND جايگزين مناسبي براي ROM نيست زيرا دسترسي تصادفي در سطح بايت را ارائه نمي دهد، كه معمولاً داده هاي ذخيره شده در ROM به آن نياز دارند. حافظه NOR جايگزين خوبي براي درايوهاي RAM و ROM است. NAND بيشتر با دستگاه هاي ذخيره سازي ثانويه مانند هارد ديسك مرتبط است. اين باعث مي شود فلش NAND براي ذخيره سازي انبوه، مانند SSD ها خوب باشد.

فناوري NAND Flash در حافظه SSD:

امروزه دنياي فناوري اطلاعات در بخش ذخيره سازي نيز با سرعت بسيار زيادي در حال پيشرفت است. اكنون كمتر كسي هست كه با حافظه هاي SSD آشنايي نداشته باشد. حافظه هايي كه آرام آرام جايگزين هاردديسك‌هاي مكانيكي مي شوند و در آينده نزديك مطمئناً آنها را از بازار خارج خواهند كرد.

عملكردحافظه هاي SSD مبتني بر چرخش اجسام و حركت اجزاي داخلي آن نيست. در SSDها، اطلاعات به جاي ديسك چرخان، در دريايي از فلش ناند (NAND) ذخيره مي‌شوند. NANd خود از اجزايي ساخته شده است كه ترانزيستورهاي گيت شناور ناميده مي‌شوند. برخلاف ترانزيستورهاي استفاده شده در ساخت DRAM كه بايد هر ثانيه چندين بار رفرش شوند، فلش NAND به گونه‌اي طراحي شده است كه حتي اگر منبع انرژي در دسترسش نباشد باز هم بتواند حالت شارژ خود را حفظ كند. همين امر موجب شده است كه NAND را در دسته‌ي حافظه‌هاي غير فرار (Non-volatile memory) دسته‌بندي كنند.

تكنولوژي NAND Flash در حدود ۱۰۰۰ برابر از ديسك‌هاي چرخان سريعتر و در مقابل DRAM در حدود ۱۰۰۰ برابر از NAND سريعتر است.

يك حافظه SSD از سه بخش اصلي تشكيل شده است:

ـ NAND Flash

ـ DDR Memory

ـ Controller

در بخش A ديتا ذخيره مي شود و نيازي به برق براي حفظ داده ندارد. بخش B همان كش هارد است كه براي حفظ داده ها نياز به برق دارد. بخش C كنترولر نام دارد كه به عنوان كانكتور اصلي بين هارد و كامپيوتر است و سيستم عامل (firmware) نيز بر روي آن نصب مي شود.

معرفي تكنولوژي 3D NAND:

نسل جديد حافظه هاي ذخيره سازي در حقيقت يك معماري براي طراحي فلش‌هاي تجهيزات ذخيره‌سازي است كه با عنوان فلش‌هاي NAND سه‌بعدي ( 3D Nand Flash) شناخته مي‌شوند و شركت‌هايي كه در زمينه توليد چيپ‌هاي فلش فعاليت مي‌كنند به توسعه ساختار فعلي فلش‌ها با استفاده از ساختار 3D Nand Flash روي آورده‌اند تا بتوانند به بهترين كارايي و پايين ترين قيمت در بازار رقابتي تجهيزات ذخيره‌سازي دست يابند.

در ساختار فلش‌هاي دو وجهي سلول‌ها در راستاي محورهاي X و Y كنار هم قرار مي‌گيرند و بسته به اندازه فيزيكي سلول‌ها مي‌تواند تا حجم محدودي از ذخيره‌سازي اطلاعات را پشتيباني كند. در حالي كه ساختار 3D Nand Flash لايه‌هايي از سلول‌ها روي هم قرار مي‌گيرند و از راستاي محور Z هم استفاده مي‌شود و بديهي است كه حجم ذخيره‌سازي به صورت قابل توجهي افزايش مي‌يابد. در كنار اين ساختار فيزيكي از الگوريتم‌هايي نيز براي كاهش نرخ خطا و كاهش مصرف انرژي نيز استفاده شده تا كارايي بهينه‌اي را نيز از اين معماري شاهد باشيم.

بزرگترين مزيت ساختار 3D Nand Flash ظرفيت بالاي ذخيره‌سازي در آن‌ها در قياس با سايز فيزيكي اين نوع فلش است كه باعث پايين آمدن قيمت تمام‌شده به ازاي هر گيگابايت مي‌شود. اين افزايش ظرفيت مي‌تواند نويد اس‌اس‌دي‌هايي با حجم بيش از 10 ترابايت در فرم‌فكتور 2.5 اينچي و يك اس‌اس‌دي 3.5 ترابايتي را در اندازه يك آدامس بادكنكي بدهد! از ديگر مزيت‌هاي ساختار 3D Nand Flash مي‌توان به افزايش قابل توجه كارايي نسبت به ساختار دو وجهي اشاره كرد. اين افزايش كارايي در سرعت خواندن/نوشتن و نيز بهبود سرعت دستيابي تصادفي در حالت 4K بسيار مشهود است. همچنين مصرف انرژي در حافظه‌هايي كه بر اساس اين تكنولوژي ساخته مي‌شوند تا ۴۵ درصد كمتر است.

محدوديت ها و چالش هاي فلش NAND:

فن‌آوري‌هاي حافظه فلش مزاياي بسيار زيادي را براي دستگاه‌هاي الكترونيكي مدرن فراهم كرده‌اند، از كارت‌هاي حافظه غيرفرار در دوربين‌ها تا SSD‌هاي كلاس سازماني. اما عليرغم مزايا، فناوري‌هاي فلش مانند حافظه فلش NAND چندين محدوديت و چالش كليدي را ارائه مي‌كنند كه بر عملكرد و قابليت اطمينان تأثير مي‌گذارند، از جمله سايش، پاك كردن، تداخل و حساسيت.

ـ پاك كردن بلوكي:

در حافظه فلش هر يك از بيت‌ها جداگانه قابل برنامه‌نويسي يا خواندن مي‌باشند، اما اگر بخواهيم يك بيت دلخواه را پاك كنيم كل بلوك پاك مي‌شود؛ يعني وقتي حتي تنها يك بيت صفر شده‌است براي يك كردن آن بيت بايد كل بلوك را يك كنيم. حافظه فلش NOR، به ما قابليت اجراي عمليات دوباره‌نويسي و پاك كردن، همراه با دسترسي تصادفي و دلخواه را نمي‌دهد.

ـ تحليل حافظه:

حافظه فلش از تعداد محدودي حلقه نوشتن و پاك كردن پشتيباني مي‌كند. بيشتر فلش‌هاي در دسترس ما، به‌طور تضميني قبل از تحليل رفتن حافظه كيفيت آن را پايين مي آورد، حدود ۱۰۰۰۰۰ حلقه نوشتن و پاك كردن را پوشش مي‌دهند. براي كمتر كردن آثار اين مشكل در بعضي از سيستم‌ها از روشي استفاده مي‌شود كه در آن با شمارش تعداد عمليات نوشتن و بازنگاري پوياي بلوك‌ها جهت توزيع عمليات نوشتن در بين بخش‌هاي مختلف، باعث پايين آمدن سطح تحليل حافظه مي‌شويم.

ـ اختلال در خواندن:

اختلال در خواندن وقتي اتفاق مي‌افتد كه در طول عمليات خواندن يك بيت يا بيشتر تغيير كنند. اختلال در خواندن درون بلوكي كه در حال خوانده شدن است، اما در صفحه يا صفحات ديگر كه در حال خوانده شدن نيستند، اتفاق مي‌افتد. اگر تعداد زيادي عمليات خواندن (حدود چند ۱۰۰۰۰۰ يا چند ميليون) قبل از انجام عمليات پاك كردن انجام دهيم، اين اختلال ممكن است اتفاق بيفتد. بعد از وقوع اين اختلال بايد بلوكي را كه اختلال در آن اتفاق افتاده‌است را پاك كنيم و دوباره داده‌ها را در آن بنويسيم.

توليد كنندگان حافظه فلش NAND:

طبق اطلاعات Mordor Intelligence، ارزش بازار حافظه هاي فلش NAND در سال 2020 بيش از 46 ميليارد دلار برآورد شده است و پيش بيني مي شود تا سال 2026 از 85 ميليارد دلار فراتر رود.

انتظار مي‌رود كه اين رشد ناشي از تقاضاي دستگاه‌هاي رايانه‌اي مانند گوشي‌هاي هوشمند، كارت‌هاي حافظه، SSD و حتي پروژه‌هاي حافظه فشرده مانند هوش مصنوعي باشد. شش سازنده اصلي جهاني دستگاه هاي حافظه فلش NAND وجود دارد كه عبارتند از:

ـ سامسونگ الكترونيك
ـ كيوكسيا
ـ شركت وسترن ديجيتال (WD).
ـ فناوري ميكرون
ـ SK Hynix
ـ اينتل

آينده حافظه فلش NAND:

حافظه فلش NAND به يكي از اجزاي حياتي دستگاه هاي موبايل مدرن تبديل شده است. با افزايش اين دستگاه ها و تلاش براي ارائه ويژگي ها و عملكردهاي بيشتر، حجم بيشتري از حافظه فلش NAND براي رسيدگي به نيازهاي رو به رشد كد و ذخيره سازي داده مورد نياز خواهد بود.

هدف اصلي طراحي و تكامل حافظه فلش NAND اين است كه تراكم بيت‌هاي بيشتري را در تراشه‌هاي كوچك‌تر و با مشخصات پايين‌تر قرار دهد. سال هاي اخير شاهد توسعه NAND چهار بعدي 128 لايه از SK Hynix بوده ايم. اين به طور موثر امكان توليد دستگاه هاي ذخيره سازي NAND يك ترابايتي را با ضخامت بسته تراشه اي فقط 1 ميلي متر كه براي گوشي هاي هوشمند ايده آل هستند، فراهم مي كند.

به طور مشابه، سامسونگ يك دستگاه V-NAND با بيش از 100 لايه توليد كرده است كه عملكرد حافظه بهتري را به دليل تأخير كمتر و مصرف انرژي كمتر ارائه مي دهد. اين انگيزه هاي اساسي به سمت ظرفيت بيشتر و عملكرد برتر احتمالاً آينده دستگاه هاي NAND را شكل خواهد داد.

منبع : فلش مموري NAND چيست